Journal Papers
| Title | Authors | Journal | Other informations |
| Acoustic phonon effects on telecommunication-band exciton Rabi oscillation | Toshiyuki Miyazawa, Toshihiro Nakaoka, Tetsuo Kodera, Hiroyuki Takagi, Naoto Kumagai, Katsuyuki Watanabe, and Yasuhiko Arakawa | Physica Status Solidi (c) 7, 10, (2010) 2578-2581 | 査読有 |
| Suspended Quantum Dot Fabrication on a Heavily Doped Silicon Nanowire by Suppressing Unintentional Quantum Dot Formation | Jun Ogi, Mohammad Adel Ghiass, Tetsuo Kodera, Yoshishige Tsuchiya, Ken Uchida, Shunri Oda, and Hiroshi Mizuta | Jpn. J. Appl. Phys. 49 (2010) 044001 | 査読有 |
| Experimental Observation of Enhanced Electron-Phonon Interaction in Suspended Si Double Quantum Dots | Jun Ogi, Thierry Ferrus, Tetsuo Kodera, Yoshishige Tsuchiya, Ken Uchida, David A. Williams, Shunri Oda, and Hiroshi Mizuta | Jpn. J. Appl. Phys. 49 (2010) 045203 | 査読有 |
| Fabrication and characterization of a vertical pillar structure including a self-assembled quantum dot and a quantum well | Tetsuo Kodera, Keiji Ono, Naoto Kumagai, Toshihiro Nakaoka, Seigo Tarucha, Yasuhiko Arakawa | Physica E 42, 10 (2010) | 査読有 |
| Two-photon control of biexcitonic population in telecommunication-band quantum dot | Toshiyuki Miyazawa, Tetsuo Kodera, Toshihiro Nakaoka, Katsuyuki Watanabe, Naoto Kumagai, Naoki Yokoyama, and Yasuhiko Arakawa | Appl. Phys. Express 3 064401 (2010) | 査読有 |
International Conferences
| Title | Authors | Conference | Other informations |
| Anomalous Electron Mobility in Extremely-Thin SOI (ETSOI) Diffusion Layers with SOI Thickness of Less Than 10 nm and High Doping Concentration of Greater Than 1×1018cm-3 | Naotoshi Kadotani, Tsunaki Takahashi, Kunro Chen, Tetsuo Kodera, Shunri Oda, and Ken Uchida | IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), 3.3, San Francisco, USA, (Dec 2010) | 査読有 |
| Silicon Quantum Dots for Spin-Based Quantum Information Processing | Tetsuo Kodera, Tomohiro Kambara, Kousuke Horibe, Gento Yamahata, Ken Uchida, and Shunri Oda | 2nd Japanese-Russian young scientists conference on nano-materials and nano-technology, Tokyo, Japan, (September 2010) | 査読有 |
| Simulation study of charge modulation in coupled quantum dots in silicon | Tomohiro Kambara, Tetsuo Kodera, Gento Yamahata, Ken Uchida, Shunri Oda | 2010 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2010), F-4-2, Tokyo, Japan, (September 2010) | 査読有 |
| Preparation of SOI-based Double Quantum Dots Strucure Defined by Geometry and Electrostatically | Muhammad Amin Sulthoni, Tetsuo Kodera, Ken Uchida, and Shunri Oda | 2010 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2010), F-4-3, Tokyo, Japan, (September 2010) | 査読有 |
| Study on Device Parameters of Carbon Nanotube FETs to RealizeSteep Subthreshold Slope of less than 60 mV/decade | Berrin Pinar Algul, Tetsuo Kodera, Shunri Oda, and Ken Uchida | 2010 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2010), J-1-3, Tokyo, Japan, (September 2010) | 査読有 |
| Magnetic field dependence of a leakage current in Pauli-spin blockade regime of silicon double quantum dots | T. Kodera, G. Yamahata, T. Kambara, K. Uchida, C. M. Marcus, and S. Oda | School and conference on Spin-based quantum information processing, A48, Konstanz, Germany, (August 2010) | 査読有 |
| Realization of lithographically-defined silicon quantum dots without unintentional localized potentials | Tetsuo Kodera, Gento Yamahata, Tomohiro Kambara, Kousuke Horibe, Thierry Ferrus, David Williams, Yasuhiko Arakawa, and Shunri Oda | 30th International Conference on Physics of Semiconductors (ICPS-30), TuB 2-5, Seoul, Korea, (July 2010) | 査読有 |
| Spin-related tunneling in lithographically-defined silicon quantum dots | T. Kodera, G. Yamahata, T. Kambara, K. Horibe, K. Uchida, C. M. Marcus and S. Oda | 2010 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop, 7.3, Honolulu, USA, (June 2010) | 査読有 |
| Single-electron energy dissipation processes mediated by slab mode phonons observed for suspended silicon double quantum dots | J. Ogi, T. Ferrus, T. Kodera, Y. Tsuchiya, K. Uchida, D. A. Williams, S. Oda and H. Mizuta | 2010 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop, P1.24, Honolulu, USA, (June 2010) | 査読有 |
| Resonant tunnelling between a self-assembled InAs quantum dot and an electrically-defined InGaAs quantum dot | T. Kodera, K. Ono, N. Kumagai, T. Nakaoka, S. Tarucha, S. Oda, and Y. Arakawa | the 6th International Conference on Semiconductor Quantum Dots (QD2010), P. 58, Nottingham UK, (April 2010) | 査読有 |
| Pauli spin blockade in a lithographically-defined silicon double quantum dot | G. Yamahata, T. Kambara, K. Uchida, C. M. Marcus, S. Oda, T. Kodera | International Symposium on Quantum Nanostructures and Spin-related Phenomena (QNSP2010), ThA-6, Tokyo (March 2010) | 査読有 |
| Hyperfine interaction in a vertical double quantum dot | M. Yamamoto, T. Kodera, Y. Kondo, K. Kimura, K. Ono, Y. Tokura, Y. Arakawa, S. Tarucha | International Symposium on Quantum Nanostructures and Spin-related Phenomena (QNSP2010), TuM-3, Tokyo (March 2010) | 査読有 |
| Magnetic field dependence of resonant tunneling between an InAs quantum dot and an InGaAs quantum dot | T. Kodera, K. Ono, N. Kumagai, T. Nakaoka, S. Tarucha, S. Oda, Y. Arakawa | International Symposium on Quantum Nanostructures and Spin-related Phenomena (QNSP2010), P-34, Tokyo (March 2010) | 査読有 |
| Inelastic single-electron tunneling assisted by confined phonons observed for suspended silicon double quantum dots | J. Ogi, T. Ferrus, T. Kodera, Y. Tsuchiya, K. Uchida, D. A. Williams, S. Oda and H. Mizuta | IOP Quantum Dot Meeting (QDCAM2010), Cambridge, UK (January 2010) | 査読有 |
Domestic Conferences
| Title | Authors | Conference | Other informations |
| シリコン宙づり構造内の結合二重量子ドットの電子フォノン相互作用 | 小木 純，Thierry Ferrus，小寺哲夫，土屋良重，内田 建，David Williams，水田 博，小田俊理 | 第57回応用物理学関係連合講演会 March 2010 平塚市 | 査読無 |
| ダブルトップゲートを有するシリコン量子ドットのシミュレーションと作製 | 蒲原知宏，小寺哲夫，山端元音，内田 建，小田俊理 | 第57回応用物理学関係連合講演会 March 2010 平塚市 | 査読無 |
| Simulation of silicon double quantum dots device fabricated by combining lithographical and electrostatical approaches | Muhammad Amin Sulthoni，小寺哲夫，内田 建，小田俊理 | 第57回応用物理学関係連合講演会 March 2010 平塚市 | 査読無 |
| 強磁場印加による(110) pMOSFETサブバンド構造の直接的観測 | 高橋綱己，山端元音，小木 純，小寺哲夫，小田俊理，内田 建 | 第57回応用物理学関係連合講演会 March 2010 平塚市 | 査読無 |
| VHFプラズマパワーの変化によるシリコンナノ結晶の縮小化 | 中峯嘉文，小寺哲夫，内田 建，小田俊理 | 第57回応用物理学関係連合講演会 March 2010 平塚市 | 査読無 |
| サイドゲートとトップゲートを用いたシリコン二重結合量子ドット形成シミュレーション | 蒲原知宏，小寺哲夫，山端元音，内田建，小田俊理 | 第71回応用物理学会学術講演会 September 2010 長崎 | 査読無 |
| シリコン結合量子ドットにおけるスピン効果の観測 | 小寺哲夫，山端元音，蒲原知宏，内田建，小田俊理 | 第71回応用物理学会学術講演会 September 2010 長崎 | 査読無 応用物理学会講演奨励賞 |
| Si/SiGe系2DEGのPdショットゲート制御による結合量子ドットの作製 | 福岡佑二，小寺哲夫，大塚朋廣，武田健太，小幡利顕，吉田勝治，澤野憲太郎，内田建，白木靖寛，樽茶清悟，小田俊理 | 第71回応用物理学会学術講演会 September 2010 長崎 | 査読無 |
| Small-diameter Ge nanowires grown at 280°C by VLS－CVD | M. Simanullang, 宇佐美浩一，小寺哲夫，内田建，小田俊理 | 第71回応用物理学会学術講演会 September 2010 長崎 | 査読無 |
| pn接合の無い極薄膜SOIトランジスタの作製と電気特性評価 | 角谷直哉，高橋綱己，小寺哲夫，小田俊理，内田建 | 第71回応用物理学会学術講演会 September 2010 長崎 | 査読無 |
| InPに格子整合したIn0.53Ga0.47Asバンド構造の一軸歪み依存性 | 引田和宏，小寺哲夫，小田俊理，内田 建 | 第71回応用物理学会学術講演会 September 2010 長崎 | 査読無 |
| Pr系酸化膜を用いたヘテロ積層構造トンネル膜の電気特性シミュレーションと作製及び評価 | 小林大助，栗原智之，小寺哲夫，内田建，野平博司，小田俊理 | 第71回応用物理学会学術講演会 September 2010 長崎 | 査読無 |
| 凹凸基板を用いたディップコーティング法によるナノ結晶シリコンの集積化技術 | 高下雅央，石川哲也，宇佐美浩一，小寺哲夫，内田建，小田俊理 | 第71回応用物理学会学術講演会 September 2010 長崎 | 査読無 |
| CNTトランジスタにおけるバンド間トンネルを利用したS係数60 mV/dec未満を実現するデバイスパラメータの研究 | ベッリン ピナー アルグル，小寺哲夫，小田俊理，内田建 | 第71回応用物理学会学術講演会 September 2010 長崎 | 査読無 |
| PdショットキーゲートによるSi/SiGe量子ドットの作製とその評価 | 武田健太，小幡利顕，福岡佑二，大塚朋廣，小寺哲夫，吉田勝治，澤野憲太郎，小田俊理，白木靖寛，樽茶清悟 | 日本物理学会秋季大会 September 2010 大阪 | 査読無 |
| Lateral dot fabrication by using a MOS electric gate on SiGe hetero structure | 小幡利顕，申潤錫，ロランドブルナ，武田健太，福岡佑二，大塚朋廣，小寺哲夫，吉田勝治，澤野憲太郎，小田俊理，白木靖寛，樽茶清悟 | 日本物理学会秋季大会 September 2010 大阪 | 査読無 |
| 電子スピン量子ビットに向けたシリコン量子ドットの作製と評価 | 小寺哲夫 | イノベーション研究推進体「量子情報処理デバイス」研究会（2010年12月）東京工業大学、目黒 | 査読無 |
| 少数電子シリコン量子ドットの作製とスピン現象の観測 | 小寺哲夫，堀部浩介, 蒲原知宏, 山端元音, T. Ferrus, D. Williams, 荒川泰彦, 小田俊理 | 公開シンポジウム 「ナノ量子情報エレクトロニクスの進展」(2010年12月) 東京大学, 本郷 | 査読無 |
Award
| Award | Title | Award winner |
Other informations |
| 工系若手奨励賞東京工業大学 | シリコン量子ドットを利用した量子スピンコヒーレンス素子の開発 | 小寺哲夫 |
