Si/SiGe変調ドーピング基板内の2次元電子ガスを、基板表面の微細Pdゲートにより制御する事で2重量子ドットや量子ポイントコンタクトを形成します。この構造の特長には、変調ドーピングにより高い電子移動度を持つことや、トンネル障壁や量子ドットサイズを高い精度で制御できるという特長がありことであり、電子スピンに起因した特性を観測しやすいと考えられます。
最終的にはこの構造上に微小磁石を形成し、電子スピン共鳴を用いた電子スピン操作を行い、スピン量子ビットを実現することを目標に置いしています。これによりSi/SiGe量子ドットにおける電子スピンコヒーレンスの物理を解明し、化合物半導体と比較して長いコヒーレンス時間を有するスピン量子ビットを実現します。の実現を目指します。
現在までに量子ポイントコンタクトにおいてSi系で特有の電気伝導特性を得られており(電子ガスの1次元化)、ゲート形状を適切に設計することで0次元化(量子ドット)ができると考えています。
最終的にはこの構造上に微小磁石を形成し、電子スピン共鳴を用いた電子スピン操作を行い、スピン量子ビットを実現することを目標に置いしています。これによりSi/SiGe量子ドットにおける電子スピンコヒーレンスの物理を解明し、化合物半導体と比較して長いコヒーレンス時間を有するスピン量子ビットを実現します。の実現を目指します。
現在までに量子ポイントコンタクトにおいてSi系で特有の電気伝導特性を得られており(電子ガスの1次元化)、ゲート形状を適切に設計することで0次元化(量子ドット)ができると考えています。
