単一ナノ結晶シリコン量子ドットの電気伝導特性評価

　現在、トップダウンプロセスにより直径数十nm程度のシリコン量子ドットの作製が進められていますが、デバイスの室温動作のためには、直径数nm程度の小さな量子ドットデバイスを実現する必要があります。
　本研究では、ボトムアッププロセスにより生成した単一ナノ結晶シリコンを、トップダウンプロセスにより作製したナノギャップ電極間に制御性よく挟み込み、室温動作するシリコン量子ドットデバイスの実現を目指しています。
　 ギャップが10nm程度の電極の作製に成功しており、現在、単一ナノ結晶シリコンを制御性よく挟み込む技術開発に取り組んでいます。具体的には、直接堆積法、滴下蒸発法、AFM法などを用います。
　作製したナノギャップ電極間の単一ナノ結晶シリコンの電気伝導特性評価を行い、単一ナノ結晶シリコンの電子状態などの物性解明や、単電子トランジスタとしての室温動作を目指します。