(100)面のSi基板ではなく(110)面の基板を使用した場合、有効質量が小さくなりキャリアの移動度が大きくなる・ゲート容量が大きくなるといった利点が あることが、(110)p-MOSFETにおいて確認されています。これらにより移動度が大きいことから高速のデバイスの実現が出来ると考えられます。
また、シリコンのホールスピンは、自然界のシリコンの95%は核スピンがなく、超微細相互作用が小さく、核スピン揺らぎによるデコヒーレンスが小さくなります。また、極性がなく化合物半導体に存在する結晶の作る電界により生じるドレッセルハウススピン軌道相互作用がシリコンでは存在せず、ドレッセルハウス項によるデコヒーレンスがありません。
さらに、バルクのホールと電子を比較すると、半導体二次元ガスを形成する量子井戸の中の電界により生じるラシュバスピン軌道相互作用が電子のものより小さい可能性がありデコヒーレンスも小さくなるといった特徴がありますことが期待されます。 現在、これらの特徴を有した(110)p-MOSFETの作成製を目的として研究しています。
また、シリコンのホールスピンは、自然界のシリコンの95%は核スピンがなく、超微細相互作用が小さく、核スピン揺らぎによるデコヒーレンスが小さくなります。また、極性がなく化合物半導体に存在する結晶の作る電界により生じるドレッセルハウススピン軌道相互作用がシリコンでは存在せず、ドレッセルハウス項によるデコヒーレンスがありません。
さらに、バルクのホールと電子を比較すると、半導体二次元ガスを形成する量子井戸の中の電界により生じるラシュバスピン軌道相互作用が電子のものより小さい可能性がありデコヒーレンスも小さくなるといった特徴がありますことが期待されます。 現在、これらの特徴を有した(110)p-MOSFETの作成製を目的として研究しています。
